GP3T080A120H

SemiQ
148-GP3T080A120H
GP3T080A120H

Fab. :

Description :
SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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Fiche technique:
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Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
4,56 € 4,56 €
3,30 € 33,00 €
2,37 € 284,40 €
2,17 € 1 106,70 €

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SemiQ
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
70 A
100 mOhms
- 4.5 V, + 18 V
4 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
147 W
Enhancement
Marque: SemiQ
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Temps de descente: 9 ns
Transconductance directe - min.: 6 S
Conditionnement: Tube
Produit: MOSFETs
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 4 ns
Série: GP3T
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Type de transistor: 1 N-Channel
Type: SiC MOSFET
Délai de désactivation type: 19 ns
Délai d'activation standard: 13 ns
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 V

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

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