GP3T040A120H

SemiQ
148-GP3T040A120H
GP3T040A120H

Fab. :

Description :
SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

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SemiQ
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
140 A
52 mOhms
- 4.5 V, + 18 V
4 V
108 nC
- 55 C
+ 175 C
246 W
Enhancement
Marque: SemiQ
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Temps de descente: 10 ns
Transconductance directe - min.: 12 S
Conditionnement: Tube
Produit: MOSFETs
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 8 ns
Série: GP3T
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Type de transistor: 1 N-Channel
Type: SiC MOSFET
Délai de désactivation type: 31 ns
Délai d'activation standard: 17 ns
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 V

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

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