+33 5 55 85 79 96

Membre du groupe de spécialistes TTI Contacter Mouser (Brive) +33 5 55 85 79 96 Commentaires

Changer de pays

En stock

RoHS

Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici
Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici

Historique des commandes

Fab.	N° de fab. :	Quantité	Total ext.

Voir Panier

Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

GP3T016A120H

Name: SemiQ GP3T016A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T016A120H
Price: 11.04 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

148-GP3T016A120H

N° de fab. :

GP3T016A120H

Fab. :

SemiQ

Description :

SiC MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

GP3T016A120H Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de SemiQ GP3T016A120H

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: Demander un devis de livraison

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	11,04 €	11,04 €
	7,73 €	77,30 €
	6,30 €	756,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SemiQ
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4L
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	350 A
Rds On - Résistance drain-source:	23 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	260 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	484 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	SemiQ
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	20 ns
Transconductance directe - min.:	29 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	25 ns
Série:	GP3T
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	SiC MOSFET
Délai de désactivation type:	65 ns
Délai d'activation standard:	21 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

GP3T016A120H Fiche technique (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 V

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.