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VS-4C30ET07S2L-M3

Name: Vishay VS-4C30ET07S2L-M3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C30ET07S2L-M3
Price: 6.47 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-VS-4C30ET07S2L-M3

N° de fab. :

VS-4C30ET07S2L-M3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

VS-4C30ET07S2L-M3 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263AB-2
Configuration:	SIngle
If - Courant direct:	30 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.33 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	180 A
Ir - Courant inverse:	125 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	VS-4C30ET07S2L-M3
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Vishay Semiconductors
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Pd - Dissipation d’énergie :	167 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	650 V

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Fiche technique

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

Les diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium (SiC) de Vishay semiconducteurs sont des redresseurs avancés haute performance conçus pour offrir une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications d'électronique de puissance exigeantes. Conçues à partir de la technologie SiC à large bande interdite, ces diodes Vishay offrent une charge de récupération inverse pratiquement nulle, une capacité de commutation extrêmement rapide et une performance qui ne varie pas en fonction de la température., ce qui rend ces dispositifs idéaux pour les systèmes de conversion de puissance haute fréquence de nouvelle génération.