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UT6KE5TCR

Name: ROHM Semiconductor UT6KE5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-UT6KE5TCR
Price: 0.8 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-UT6KE5TCR

N° de fab. :

UT6KE5TCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET

Fiche technique:

UT6KE5TCR Fiche technique

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	0,194 €	582,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-2020-8D
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Rds On - Résistance drain-source:	207 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	2.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TH
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	1 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	6 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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