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UF3C120080B7S

Name: onsemi UF3C120080B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C120080B7S
Price: 15.45 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

431-UF3C120080B7S

N° de fab. :

UF3C120080B7S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

Fiche technique:

UF3C120080B7S Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	28.8 A
Rds On - Résistance drain-source:	85 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6 V
Qg - Charge de grille:	23 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	190 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SiC FET
Marque:	onsemi
Conformité:	Done
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	US
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	9 ns, 8 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	7 ns, 6 ns
Série:	UF3C
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	30 ns
Délai d'activation standard:	31 ns, 33 ns

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

FET SiC UF3C en boîtier D2-PAK

Les SiC FET UF3C de Qorvo en boîtiers D2-PAK-3L et D2-PAK-7L à montage en surface sont basés sur une configuration de circuit « cascode » unique et disposent d’une excellente récupération inverse. Dans la configuration de circuit cascode, un JFET SiC normalement activé est co-emballé avec un MOSFET Si pour produire un dispositif SiC FET normalement éteint. Ces FET SiC offrent une diode à faible corps, une faible charge de grille et une tension de seuil de 4,8 V qui permet de piloter de 0 V à 15 V. Ces composants SiC FET D2-PAK sont protégés contre les DES et fournissent une ligne de fuite du boîtier et une distance de dégagement de >6,1 mm. Les caractéristiques standard du pilote de grille du FET sont des remplacements directs pour les IGBT Si, le FET Si, les MOSFET SiC ou la super-jonction Si. Ils sont disponibles pour des variantes de tension de claquage drain-source de 1 200 V et 650 V et sont idéaux pour une utilisation pour les environnements contrôlés tels que l’alimentation des télécommunications et des serveurs, les alimentations industrielles, les entraînements de moteurs et le chauffage par induction.

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.