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UF3C065080K4S

Name: onsemi UF3C065080K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C065080K4S
Price: 9.96 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

431-UF3C065080K4S

N° de fab. :

UF3C065080K4S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247

Fiche technique:

UF3C065080K4S Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	31 A
Rds On - Résistance drain-source:	100 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	51 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	190 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	SiC FET
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	8 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	20 ns
Série:	UF3C
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	37 ns
Délai d'activation standard:	21 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

UF3C065080K4S Fiche technique

Models

SPICE Model/UF3C065080K4S (Texte)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.