TGA2237-SM

Qorvo
772-TGA2237-SM
TGA2237-SM

Fab. :

Description :
Amplificateur RF 30-2500MHz 10W GaN PAE > 50% Gain 19dB

Fiche technique:
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Qorvo
Catégorie du produit: Amplificateur RF
RoHS:  
30 MHz to 2.5 GHz
32 V
360 mA
19 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
QFN-32
GaN SiC
33 dBm
- 40 C
+ 85 C
TGA2237
Waffle
Marque: Qorvo
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: US
Kit de développement: TGA2237-SM Eval Board
Affaiblissement d'équilibrage d'entrée: 10 dB
Sensibles à l’humidité: Yes
Nombre de canaux: 1 Channel
Pd - Dissipation d’énergie : 19 W
Type de produit: RF Amplifier
Nombre de pièces de l'usine: 25
Sous-catégorie: Wireless & RF Integrated Circuits
Raccourcis pour l'article N°: TGA2237
Poids de l''unité: 188,600 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8542330000
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

GaN Power Amplifiers

Qorvo GaN Power Amplifiers allow unique, cost-effective solutions across a variety of applications. With these high-power amplifiers designed for military, commercial, satellite communications and radar systems, Qorvo offers GaN-based products meeting today's market needs and future requirements.

TGA2237 Wideband Distributed Amplifier

Qorvo TGA2237 Wideband Distributed Amplifier is fabricated on the Qorvo production 0.25um Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) process. The TGA2237 operates from 0.03GHz to 2.5GHz and provides 10W of saturated output power with 13dB of large signal gain and greater than 50.% power-added efficiency. The broadband performance supports both radar and communication applications across defense and commercial markets as well as electronic warfare. The TGA2237 amplifier is fully matched to 50Ω at both RF ports allowing for simple system integration. DC blocks are required on both RF ports and the drain voltage must be injected through an off chip bias-tee on the RF output port.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

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