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T2G6000528-Q3 28V

Name: Qorvo T2G6000528-Q3 28V
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G6000528-Q328V
Price: 73.69 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

772-T2G6000528-Q328V

N° de fab. :

T2G6000528-Q3 28V

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN

Fiche technique:

T2G6000528-Q3 28V Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Marque:	Qorvo
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Fréquence de fonctionnement max.:	6 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	0 Hz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	7 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Série:	T2G6000528
Nombre de pièces de l'usine:	100
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	HEMT
Raccourcis pour l'article N°:	1099997
Poids de l''unité:	4,382 g

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Fiche technique

T2G6000528-Q3 28V Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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