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STL120N10F8

Name: STMicroelectronics STL120N10F8
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL120N10F8
Price: 2.23 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STL120N10F8

N° de fab. :

STL120N10F8

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8

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MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,23 €	2,23 €
	1,44 €	14,40 €
	0,989 €	98,90 €
	0,79 €	395,00 €
	0,749 €	749,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,737 €	2 211,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-5x6-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	125 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	56 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	STripFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	SG
Temps de descente:	17 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	16 ns
Série:	STripFET F8
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	41 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Poids de l''unité:	76 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

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