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STGF15M65DF2

Name: STMicroelectronics STGF15M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGF15M65DF2
Price: 1.75 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGF15M65DF2

N° de fab. :

STGF15M65DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss

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Fiche technique:

STGF15M65DF2 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,75 €	1,75 €
	0,832 €	8,32 €
	0,746 €	74,60 €
	0,604 €	302,00 €
	0,553 €	553,00 €
	0,532 €	1 064,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-220FP-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.55 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	30 A
Pd - Dissipation d’énergie :	31 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGF15M65DF2
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	30 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 uA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	2,300 g

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Fiche technique

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.