Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

SSM6J502NU,LF

Name: Toshiba SSM6J502NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6J502NULF
Price: 0.51 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

757-SSM6J502NULF

N° de fab. :

SSM6J502NU,LF

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

Fiche technique:

SSM6J502NU,LF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Toshiba SSM6J502NU,LF

En stock: 26 689

Stock:: 26 689

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 6 000
Délai usine :: 9

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,516 €	0,52 €
	0,32 €	3,20 €
	0,22 €	22,00 €
	0,155 €	77,50 €
	0,138 €	138,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,114 €	342,00 €
	0,104 €	624,00 €
	0,097 €	873,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	UDFN6B-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	6 A
Rds On - Résistance drain-source:	60.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Pd - Dissipation d’énergie :	1 W
Nom commercial:	U-MOSVI
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	TH
Pays de diffusion:	JP
Pays d'origine:	TH
Type de produit:	MOSFETs
Série:	SSM6J502
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Poids de l''unité:	8,500 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

SSM6J502NU,LF Fiche technique (PDF)

Application Notes

Surface Mount Small Signal MOSFET Precautions For Use

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Solutions SSD (Solid State Drive) discrètes

Les solutions SSD (Solid State Drive) discrètes de Toshiba disposent d'une large gamme de produits qui satisfait les dernières exigences avec les TVS, les diodes à barrière de Schottky (SBD), les LDO, les CI de commutateurs de charge et le nouveau CI de fusible électronique puissant. Ces SSD peuvent analyser les données plus rapidement qu'un disque dur traditionnel (HDD). À mesure que la technologie SSD s'améliore, elle nécessitera un circuit d'alimentation qui répond à des demandes d'alimentation de plus en plus strictes, ainsi qu'une protection qui préserve les données importantes de toute défaillance. Toshiba offre une large gamme de commutateurs de charge et de MOSFET pour contrôler les entrées d'alimentation, les CI de protection et les diodes conçues pour gérer les conditions d'alimentation d'entrée anormales et les surtensions pendant la connexion à chaud.

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.