SQJ960EP-T1_GE3 MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
Vishay Semiconductors MOSFET 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
Fiche technique
77 916En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 8 A 30 mOhms, 30 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ9
Fiche technique

Si AEC-Q100 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel