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SQJ570EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ570EP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ570EP-T1_GE3
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SQJ570EP-T1_GE3

N° de fab. :

SQJ570EP-T1_GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

Fiche technique:

SQJ570EP-T1_GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,51 €	1,51 €
	0,955 €	9,55 €
	0,64 €	64,00 €
	0,506 €	253,00 €
	0,462 €	462,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,428 €	1 284,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-SO-8-4
Polarité du transistor:	N-Channel, P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	9.5 A, 15 A
Rds On - Résistance drain-source:	45 mOhms, 146 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	9 nC, 12 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	27 W, 27 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	17 ns, 15 ns
Transconductance directe - min.:	15 S, 7 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns, 5 ns
Série:	SQJ
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Délai de désactivation type:	20 ns, 30 ns
Délai d'activation standard:	8 ns, 12 ns
Poids de l''unité:	506,600 mg

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Fiche technique

SQJ570EP-T1_GE3 Fiche technique

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET automobiles SQJ

Les MOSFET^®automobiles SQJ Vishay/Siliconix sont des MOSFET de puissance 40 V_DS à canal N TrenchFET Gen IV. Ces MOSFET homologués AEC-Q101 sont testés à 100% R_g et commutation inductive non limitée (UIS) avec un rapport Q_gd/Q_gs de moins de 1 qui optimise les caractéristiques de commutation. Les MOSFET automobiles SQJ offrent une très faible R_DS(on) et fonctionnent dans une plage de température comprise entre -55°C et 175°C.Ces MOSFET de classe automobile sont disponibles en boîtier PowerPAK^® SO-8L avec des configurations simples/doubles. Les applications standard incluent l'automobile, la gestion des moteurs, les entraînements et actionneurs de moteurs et la gestion des batteries.