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SIZ998DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ998DT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIZ998DT-T1-GE3
Price: 2.03 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIZ998DT-T1-GE3

N° de fab. :

SIZ998DT-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

Fiche technique:

SIZ998DT-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

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MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,03 €	2,03 €
	1,31 €	13,10 €
	0,894 €	89,40 €
	0,71 €	355,00 €
	0,693 €	693,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,656 €	1 968,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAIR-6x5-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	20 A, 60 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.7 mOhms, 2.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.1 V
Qg - Charge de grille:	18 nC, 44.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	20.2 W, 32.9 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	10 ns, 10 ns
Transconductance directe - min.:	80 S, 165 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	65 ns, 65 ns
Série:	SIZ
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	10 ns, 17 ns
Délai d'activation standard:	15 ns, 25 ns
Poids de l''unité:	337,318 mg

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Fiche technique

SIZ998DT-T1-GE3 Fiche technique

Models

PCN

Product Change Notification 2024-01-09 (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SkyFET® Power MOSFETs

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Solutions MOSFET intégrées

Les solutions MOSFET intégrées de Vishay combinent les composants dans une seule puce monolithique pour augmenter la densité de puissance, augmenter le rendement, simplifier la conception et réduire les coûts de nomenclature (BoM). Ces MOSFET à puce simple et multiple intègrent des caractéristiques telles que des diodes à barrière de Schottky et une protection DES. Ces MOSFET disposent de technologies TrenchFET^® à canal N et P à faible résistance à l'état passant et d'une faible résistance thermique.

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs combine optimized combinations of MOSFETs in one compact package. The co-packaged Vishay PowerPAIR Dual-MOSFETs use less space and offer increased performance over separate discretes. By having the two MOSFETs already connected inside the PowerPAIR package, layouts are made easier and parasitic inductance from PCB traces are reduced, increasing efficiency.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET

Les MOSFET à canal N TrenchFET® gén. IV Vishay Siliconix sont la famille TrenchFET® de dernière génération de MOSFET de puissance canal N de Vishay. Ces nouveaux dispositifs utilisent une nouvelle conception à haute densité et les SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP et SiSA04DN procurent une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V et une charge de grille totale réduite dans les boîtiers PowerPAK® SO-8 et 1212-8. Les caractéristiques comprennent une R_DS(on) extrêmement basse, qui se traduit par des pertes par conduction moindres pour une consommation électrique réduite, un rapport Q_dg/Q_gs très bas de 0,5 ou moins, des boîtiers à encombrement réduit PowerPAK® 1212-8 avec une efficacité similaire dans une taille divisée par 3. Les applications standard comprennent les convertisseurs CC/CC à haute puissance, la rectification synchrone, les convertisseurs Buck synchrones et OU.
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Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs offer co-packaged MOSFETs to reduce space and increase performance over two discrete. These Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs combine two MOSFETs into a compact package. By combining the devices into one package the Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs simplify the layout, reduces parasitic inductance from PCB traces, increases efficiency, and reduces ringing. Typical applications include system power, POL, and synchronous buck converters in notebooks.