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SISF20DN-T1-GE3

Name: Vishay SISF20DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISF20DN-T1-GE3
Price: 2.26 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SISF20DN-T1-GE3

N° de fab. :

SISF20DN-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD

Fiche technique:

SISF20DN-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,26 €	2,26 €
	1,44 €	14,40 €
	1,01 €	101,00 €
	0,846 €	423,00 €
	0,749 €	749,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,709 €	2 127,00 €
	0,689 €	4 134,00 €
	0,681 €	6 129,00 €
24 000	Devis

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-1212SCD-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	13 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	22 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	69.4 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	SISF
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Poids de l''unité:	488,500 mg

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Fiche technique

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Application Notes

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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