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SISF02DN-T1-GE3

Name: Vishay SISF02DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISF02DN-T1-GE3
Price: 2.09 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SISF02DN-T1-GE3

N° de fab. :

SISF02DN-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET PPAK1212 2NCH 25V 30.5A

Fiche technique:

SISF02DN-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,09 €	2,09 €
	1,19 €	11,90 €
	0,886 €	88,60 €
Ammo Pack complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,779 €	2 337,00 €
	0,603 €	3 618,00 €
	0,596 €	5 364,00 €
24 000	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-1212-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.15 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.1 V
Qg - Charge de grille:	51 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	52 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerPAK
Conditionnement:	Ammo Pack
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	105 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	17 ns
Série:	SISF
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	25 ns
Délai d'activation standard:	24 ns
Poids de l''unité:	1 g

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Fiche technique

SISF02DN-T1-GE3 Fiche technique

Application Notes

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

Solutions MOSFET intégrées

Les solutions MOSFET intégrées de Vishay combinent les composants dans une seule puce monolithique pour augmenter la densité de puissance, augmenter le rendement, simplifier la conception et réduire les coûts de nomenclature (BoM). Ces MOSFET à puce simple et multiple intègrent des caractéristiques telles que des diodes à barrière de Schottky et une protection DES. Ces MOSFET disposent de technologies TrenchFET^® à canal N et P à faible résistance à l'état passant et d'une faible résistance thermique.