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SI8806DB-T2-E1

Name: Vishay SI8806DB-T2-E1
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI8806DB-T2-E1
Price: 0.86 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SI8806DB-T2-E1

N° de fab. :

SI8806DB-T2-E1

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET 12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Fiche technique:

SI8806DB-T2-E1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,86 €	0,86 €
	0,611 €	6,11 €
	0,381 €	38,10 €
	0,262 €	131,00 €
	0,221 €	221,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,187 €	561,00 €
	0,169 €	1 014,00 €
	0,157 €	1 413,00 €
	0,143 €	3 432,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	MicroFoot-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	12 V
Id - Courant continu de fuite:	3.9 A
Rds On - Résistance drain-source:	47 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	400 mV
Qg - Charge de grille:	17 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	900 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Type de produit:	MOSFETs
Série:	SI8
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	120 mg

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Fiche technique

SI8806DB-T2-E1 Fiche technique

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.