SI8472DB-T2-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8472DB-T2-E1
SI8472DB-T2-E1

Fab. :

Description :
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

Modèle de ECAO:
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En stock: 12 925

Stock:
12 925 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
5 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,705 € 0,71 €
0,439 € 4,39 €
0,285 € 28,50 €
0,218 € 109,00 €
0,204 € 204,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,204 € 612,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Vishay
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-4
N-Channel
1 Channel
20 V
4.5 A
44 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
18 nC
- 55 C
+ 150 C
1.8 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Vishay Semiconductors
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: DE
Type de produit: MOSFETs
Série: SI8
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 79,751 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.