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SH8KB6TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KB6TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KB6TB1
Price: 1.22 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

755-SH8KB6TB1

N° de fab. :

SH8KB6TB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET 40V 8.5A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

Fiche technique:

SH8KB6TB1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,22 €	1,22 €
	0,771 €	7,71 €
	0,512 €	51,20 €
	0,401 €	200,50 €
	0,365 €	365,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,325 €	812,50 €
	0,323 €	1 615,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	8.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	19.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	10.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	4.5 ns
Transconductance directe - min.:	4.9 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6.3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	21 ns
Délai d'activation standard:	8.5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SH8KB6

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K

Les MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K de ROHM Semiconductor disposent de deux MOSFET de 40 V ou 60 V dans un petit boîtier SOP8 CMS avec huit bornes. La série SH8K offre une faible résistance à l’état passant et une R_{DS (on)} maximale de 8,4 mΩ, 12,4 mΩ ou 19,4 mΩ. Les autres caractéristiques sont une dissipation d'énergie de 2 W et un ID de courant de drain de ±8,5 A, ±10,5 A ou ±13,5 A. Ces MOSFET conformes RoHS sont sans halogènes et utilisent un placage sans plomb. Les MOSFET de puissance à double canal N et canal N SH8K de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les applications de commutation.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.