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SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 4.06 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SGT65R65AL

N° de fab. :

SGT65R65AL

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

FET GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

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Fiche technique:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	25 A
Rds On - Résistance drain-source:	65 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	+ 6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V
Qg - Charge de grille:	5.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	305 W
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Type de produit:	GaN FETs
Série:	SGT
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-Si
Type de transistor:	E-Mode
Type:	RF Power MOSFET
Poids de l''unité:	76 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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Transistors PowerGaN en mode E SGT65R65AL

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