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SGT350R70GTK

Name: STMicroelectronics SGT350R70GTK
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT350R70GTK
Price: 1.45 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SGT350R70GTK

N° de fab. :

SGT350R70GTK

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

FET GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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Fiche technique:

SGT350R70GTK Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,45 €	1,45 €
	0,972 €	9,72 €
	0,812 €	81,20 €
	0,781 €	390,50 €
	0,756 €	756,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,728 €	1 820,00 €
	0,704 €	3 520,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	6 A
Rds On - Résistance drain-source:	350 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	1.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	47 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	6.1 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	FET
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	3.5 ns
Série:	SGT
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type:	PowerGaN Transistor
Délai de désactivation type:	1.2 ns
Délai d'activation standard:	0.9 ns
Poids de l''unité:	300 mg

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Fiche technique

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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors PowerGaN E-Mode SGT G-HEMT™

Les transistors PowerGaN E-Mode SGT G-HEMT™ de STMicroelectronics sont des dispositifs GaN hauteperformance, à mode d'amélioration (normalement désactivé) conçus pour fournir une commutation exceptionnellement rapide, de faibles pertes de conduction et une densité de puissance élevée dans les applications de conversion de puissance exigeantes. Ces transistors tirent parti des avantages de la large bande interdite du nitrure de gallium pour atteindre des capacités extrêmement faibles, une charge de grille minimale et une charge de récupération inverse nulle, ce qui leur confère une efficacité supérieure par rapport aux commutateurs de puissance traditionnels en silicium.

Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK

Le transistor E-Mode PowerGaN SGT350R70GTK de STMicroelectronics est un transistor PowerGaN haute performance en mode d’amélioration, optimisé pour une conversion d’énergie efficace dans des applications exigeantes. Avec une tension nominale drain-source de 700 V et une résistance en état de fonctionnement maximale de 350 mΩ, le dispositif SGT350R70GTK de STMicroelectronics offre de faibles pertes de conduction et des capacités de commutation rapides grâce à la technologie à base de nitrure de gallium (GaN). Conditionné dans un format DPAK thermiquement amélioré, le dispositif prend en charge une gestion de courant élevé et une dissipation thermique améliorée, adapté aux conceptions d’alimentation haute densité. Une charge de grille et une capacité de sortie faibles permettent une exploitation haute fréquence, idéale pour une utilisation dans la correction du facteur de puissance (PFC), les convertisseurs résonnants et d'autres topologies d'alimentation avancées dans les secteurs industriels, des télécommunications et de l'électronique grand public.