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SGT105R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT105R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT105R70ILB
Price: 5.53 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SGT105R70ILB

N° de fab. :

SGT105R70ILB

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

FET GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor

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Fiche technique:

SGT105R70ILB Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	5,53 €	5,53 €
	3,88 €	38,80 €
	2,89 €	289,00 €
	2,67 €	1 335,00 €
	2,44 €	2 440,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	2,35 €	7 050,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-8
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	21.7 A
Rds On - Résistance drain-source:	105 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	4.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	158 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	FET
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	9 ns
Série:	SGT
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type:	PowerGaN Transistor

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors PowerGaN E-Mode SGT G-HEMT™

Les transistors PowerGaN E-Mode SGT G-HEMT™ de STMicroelectronics sont des dispositifs GaN hauteperformance, à mode d'amélioration (normalement désactivé) conçus pour fournir une commutation exceptionnellement rapide, de faibles pertes de conduction et une densité de puissance élevée dans les applications de conversion de puissance exigeantes. Ces transistors tirent parti des avantages de la large bande interdite du nitrure de gallium pour atteindre des capacités extrêmement faibles, une charge de grille minimale et une charge de récupération inverse nulle, ce qui leur confère une efficacité supérieure par rapport aux commutateurs de puissance traditionnels en silicium.