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SCT4045DRHRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4045DRHRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4045DRHRC15
Price: 9.8 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCT4045DRHRC15

N° de fab. :

SCT4045DRHRC15

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC

Fiche technique:

SCT4045DRHRC15 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	9,80 €	9,80 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	34 A
Rds On - Résistance drain-source:	59 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	63 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	115 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TH
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	9.3 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFET's
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	16 ns
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	27 ns
Délai d'activation standard:	5.1 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SCT4045DRHR

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Fiche technique

SCT4045DRHRC15 Fiche technique

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de 4e génération de ROHM Semiconductor fournissent de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits. Les MOSFET SiC de 4e génération sont faciles à mettre en parallèle et à piloter. Les MOSFET offrent des vitesses de commutation élevées et unerécupération inverse rapide, de faibles pertes de commutation et une température de fonctionnement maximale de +175°C. Les MOSFET de puissance SSiC à canal N de 4e génération de ROHM prennent en charge une tension grille-source de 15 V, ce qui contribue à l'économie d'énergie du dispositif.

MOSFET de puissance SiC AEC-Q101

Les MOSFET de puissance SiC AEC-Q101 de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les alimentations électriques automobiles et à découpage. Les MOSFET de puissance SiC peuvent être utilisés pour augmenter la fréquence de commutation, diminuant les volumes de condensateurs, de réacteurs et d'autres composants requis. Les MOSFET de puissance SiC AEC-Q101 offrent d'excellentes réductions de taille et de poids au sein de divers systèmes d'entraînement, tels que les onduleurs et les convertisseurs CC-CC dans les véhicules.

MOSFET SiC à canal N de 750 V

Les MOSFET SiC à canal N de 750 V de ROHM Semiconductor peuvent augmenter la fréquence de commutation, réduisant ainsi le volume des condensateurs, des réacteurs et des autres composants requis. Ces MOSFET SiC sont disponibles dans des boîtiers TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA et TO-247-4L. Ces dispositifs ont une classe de résistance à l'état passant [R_DS(on)] drain-source statique (std.) de 13 à 65 mΩ et un courant permanent de drain (I_D) et de source (I_S) (T_C=25 °C) de 22 à 120 A. Ces MOSFET SiC 750 V de ROHM Semiconductor offrent des tensions de tenue élevées, une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation à haute vitesse, en tirant parti des attributs uniques de la technologie SiC.