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SCT4045DLLTRDC

Name: ROHM Semiconductor SCT4045DLLTRDC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4045DLLTRDC
Price: 12.19 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCT4045DLLTRDC

N° de fab. :

SCT4045DLLTRDC

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET TOLL 750V 37A SIC

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

SCT4045DLLTRDC Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	12,19 €	12,19 €
	9,39 €	93,90 €
	8,27 €	827,00 €
	7,37 €	3 685,00 €
	6,88 €	6 880,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	6,88 €	13 760,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TOLL-9
Polarité du transistor:	N Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	37 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	63 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 V
Pd - Dissipation d’énergie :	133 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	9.3 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	SiC MOSFET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	16 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	5.1 ns
Délai d'activation standard:	27 ns

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC à canal N de 750 V

Les MOSFET SiC à canal N de 750 V de ROHM Semiconductor peuvent augmenter la fréquence de commutation, réduisant ainsi le volume des condensateurs, des réacteurs et des autres composants requis. Ces MOSFET SiC sont disponibles dans des boîtiers TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA et TO-247-4L. Ces dispositifs ont une classe de résistance à l'état passant [R_DS(on)] drain-source statique (std.) de 13 à 65 mΩ et un courant permanent de drain (I_D) et de source (I_S) (T_C=25 °C) de 22 à 120 A. Ces MOSFET SiC 750 V de ROHM Semiconductor offrent des tensions de tenue élevées, une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation à haute vitesse, en tirant parti des attributs uniques de la technologie SiC.