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SCT025W120G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT025W120G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT025W120G3-4AG
Price: 16.62 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SCT025W120G3-4AG

N° de fab. :

SCT025W120G3-4AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

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SCT025W120G3-4AG Fiche technique (PDF)

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	16,62 €	16,62 €
	11,11 €	111,10 €
	10,23 €	1 023,00 €
	9,57 €	5 742,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	56 A
Rds On - Résistance drain-source:	37 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.2 V
Qg - Charge de grille:	73 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	388 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	18 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	5.7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	32.5 ns
Délai d'activation standard:	16.4 ns

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Fiche technique

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PCN

Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile

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MOSFET au carbure de silicium SCTx0N120

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