Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

SCS210AGC17

Name: ROHM Semiconductor SCS210AGC17
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS210AGC17
Price: 5.14 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-SCS210AGC17

N° de fab. :

SCS210AGC17

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Diodes Schottky SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

SCS210AGC17 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de ROHM Semiconductor SCS210AGC17

En stock: 770

Stock:: 770 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 21 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Les quantités supérieures à 770 seront soumises à des commandes minimales.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,14 €	5,14 €
	2,50 €	25,00 €
	2,43 €	243,00 €
	2,36 €	1 180,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220ACG-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	10 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.55 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	38 A
Ir - Courant inverse:	200 uA
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	ROHM Semiconductor
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Pd - Dissipation d’énergie :	78 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	650 V
Raccourcis pour l'article N°:	SCS210AG

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

SCS210AGC17 Fiche technique (PDF)

Specification Sheets

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Diodes à barrière de Schottky SiC TO-220ACG

Les diodes à barrière de Schottky (SBD) au carbure de silicium (SiC) TO-220ACG de ROHM Semiconductor disposent d'une plage de tension inverse de 650 V à 1 200 V et d'une plage de courant inverse continu de 1,2 µA à 20,0 µA. La technologie SiC permet à ces composants de maintenir une faible charge capacitive (Q_C), réduisant la perte de commutation tout en permettant un fonctionnement de commutation à haute vitesse. De plus, contrairement aux diodes à récupération rapide basées sur Si, où le temps de récupération inverse augmente avec la température, les dispositifs SiC maintiennent des caractéristiques constantes, ce qui aboutit à de meilleures performances.