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SCS206AJHRTLL

Name: ROHM Semiconductor SCS206AJHRTLL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS206AJHRTLL
Price: 4.84 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCS206AJHRTLL

N° de fab. :

SCS206AJHRTLL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Diodes Schottky SiC 650V 6A 9nC SiC SBD AEC-Q101 Qualified

Fiche technique:

SCS206AJHRTLL Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,84 €	4,84 €
	3,21 €	32,10 €
	2,60 €	260,00 €
	2,45 €	1 225,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	2,45 €	2 450,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263AB-3
Configuration:	Single
If - Courant direct:	6 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.55 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	23 A
Ir - Courant inverse:	120 uA
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	SCS2x
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ROHM Semiconductor
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Pd - Dissipation d’énergie :	48 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	650 V
Raccourcis pour l'article N°:	SCS206AJHR

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Attributs sélectionnés: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Fiche technique

SCS206AJHRTLL Fiche technique (PDF)

Models

ThermalLink

Other

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

Constitution Material (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

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Les diodes à barrière de Schottky SiC AEC-Q101 de ROHM Semiconductor fournissent des tensions de claquage à partir de 600 V, ce qui dépasse de loin la limite supérieure pour les SBD au silicium. Les diodes AEC-Q101 utilisent la SiC, ce qui les rend idéales pour les circuits PFC et les convertisseurs. De plus, la commutation à haute vitesse est activée avec un temps de récupération inverse ultra-réduit. Cela minimise la charge de récupération inverse et la perte de commutation, contribuant ainsi à la miniaturisation du produit final. Les diodes à barrière de Schottky SiC AEC-Q101 offrent une plage de tension inverse de 650 à 1200 V, une plage de courant direct continu de 1,2 A à 260 µA et une plage de dissipation de puissance totale comprise entre 48 et 280 W.µ Ces composants sont disponibles en boîtiers TO-247 et TO-263, avec une température maximale de +175 °C.

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ROHM Semiconductor^® SiC (Silicon Carbide) Schottky Barrier Diodes feature low total capacitive (Q_c) that reduces switching loss, enabling high-speed switching operation. In addition, unlike silicon-based fast recovery diodes where the t_rr increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance. These devices are ideal for use as key devices in a variety of applications, including inverters and chargers for EVs and solar power conditioners.