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RRR030P03HZGTL

Name: ROHM Semiconductor RRR030P03HZGTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RRR030P03HZGTL
Price: 0.86 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RRR030P03HZGTL

N° de fab. :

RRR030P03HZGTL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET MOSFET Pch -30V -3A, DriveVoltage:-4 SOT346T

Fiche technique:

RRR030P03HZGTL Fiche technique

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,86 €	0,86 €
	0,536 €	5,36 €
	0,35 €	35,00 €
	0,27 €	135,00 €
	0,244 €	244,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,21 €	630,00 €
	0,197 €	1 182,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-346T-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	75 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	5.2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TH
Temps de descente:	35 ns
Transconductance directe - min.:	2.4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Raccourcis pour l'article N°:	RRR030P03HZG
Poids de l''unité:	12 mg

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Attributs sélectionnés: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Fiche technique

RRR030P03HZGTL Fiche technique

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Technical Resources

Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

RoHS (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET automobiles à petit signal RRR0x0P03HZG

Les MOSFET automobiles à petit signal RRR0x0P03HZG de ROHM Semiconductor sont des MOSFET à faible résistance à l'état passant avec diodes de protection G-S intégrées Ces MOSFET offrent une tension drain-source (V_DSS) de -30 V et une dissipation d'énergie (P_D) de 1 W. Le MOSFET RRR030P03HZG fournit un courant de drain continu (I_D) de ±3 A et le MOSFET RRR040P03HZG fournit ±4 A I_D. Ces MOSFET sont conformes AEC-Q101 et sont fournis avec des placages sans plomb. Les MOSFET RRR0x0P03HZG de ROHM Semiconductor sont disponibles en petit boîtier TSMT3 à montage en surface et sont adaptés aux convertisseurs CC-CC.