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RQ3G270BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G270BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G270BJFRATCB
Price: 1.68 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RQ3G270BJFRATCB

N° de fab. :

RQ3G270BJFRATCB

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

Cycle de vie:

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Fiche technique:

RQ3G270BJFRATCB Fiche technique

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,68 €	1,68 €
	1,08 €	10,80 €
	0,722 €	72,20 €
	0,573 €	286,50 €
	0,525 €	525,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,499 €	1 497,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSMT-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	27 A
Rds On - Résistance drain-source:	22 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	32 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	69 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Temps de descente:	37 ns
Transconductance directe - min.:	11 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	126 ns
Délai d'activation standard:	10 ns

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance RQ3xFRATCB

Les MOSFET de puissance RQ3xFRATCB de ROHM Semiconductor sont des MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101. Ces MOSFET disposent d'une plage de tension drain-source de -40 V à 100 V, 8 bornes, d'une dissipation d'énergie jusqu'à 69 W et d'un courant de drain continu de ±12 A à ±27 A. Les MOSFET de puissance RQ3xFRATCB sont disponibles en canal N et canal P. Ces MOSFET de puissance sont disponibles dans un petit boîtier HSMT8AG de 3,3 mm x 3,3 mm. Le MOSFET de puissance RQ3xFRATCB est idéal pour les systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS), l'infotainment, l'éclairage et la carrosserie.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.