Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

RD3G08DBKHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3G08DBKHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G08DBKHRBTL
Price: 2.32 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-RD3G08DBKHRBTL

N° de fab. :

RD3G08DBKHRBTL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET TO252 N-CH 40V 80A

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

RD3G08DBKHRBTL Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de ROHM Semiconductor RD3G08DBKHRBTL

En stock: 2 500

Stock:: 2 500

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 2 500
Délai usine :: 16

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,32 €	2,32 €
	1,51 €	15,10 €
	1,03 €	103,00 €
	0,838 €	419,00 €
	0,802 €	802,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,782 €	1 955,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	80 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	28 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	76 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TH
Temps de descente:	15 ns
Transconductance directe - min.:	12.1 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	56 ns
Délai d'activation standard:	18 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

RD3G08DBKHRBTL Fiche technique

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

Les MOSFET de puissance 40 A et 80 A automobile de ROHM Semiconductor sont des dispositifs à canal N et à canal P. Ces MOSFET homologués AEC-Q101 se caractérisent par une faible résistance à l'état passant, un courant drain pulsés de ±80 A/±160 A et une dissipation d'énergie jusqu'à 142 W. Les MOSFET de puissance de 40 A et 80 A fonctionnent dans une plage de température de -55 °C à 175 °C et sont testés à 100 % en avalanche. Ces MOSFET de puissance sont parfaits pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

MOSFET de puissance SiC à canal N

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de ROHM Semiconductor disposent d’un courant de queue sans courant pendant la commutation, ce qui permet un fonctionnement plus rapide et une perte de commutation réduite. Leur faible résistance à l’état passant et leur taille compacte de puce assurent une capacité et une charge de grille faibles. Ces MOSFET de puissance SiC de ROHM présentent une augmentation minimale de la résistance en marche et fournissent une plus grande miniaturisation du boîtier. Cela permet d’économiser plus d’énergie que les composants Si standard, dans lesquels la résistance à l'état passant peut plus que doubler avec une température accrue.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

Automotive Solutions

ROHM Automotive Solutions contribute to the continuing evolution of the automotive sector through a stable, long-term supply of high-quality products. An expansive lineup supports the transition towards increased electrification and connectivity. ROHM can provide optimized solutions to suit various customer needs by focusing on safety, comfort, and the environment.

MOSFET de puissance automobile RD3x

Les MOSFET de puissance à canal N automobiles RD3x de ROHM Semiconductor sont des dispositifs de commutation et des redresseurs à haute performance conçus pour être utilisés dans une large gamme d'applications de puissance et de signal. Les composants RD3x homologués AEC-Q101 de ROHM présentent une faible tension directe, un temps de récupération rapide et une capacité de courant de surtension élevée, ce qui rend les MOSFET idéaux pour une conversion d'énergie et une protection efficaces dans les systèmes électroniques Avec des options adaptées à l'automobile, à l'industrie et à l'électronique grand public, la famille RD3 prend en charge des applications telles que les convertisseurs CC-CC, les pilotes de moteur, l'éclairage LED et les dispositifs alimentés par batterie. Un boîtier compact à montage en surface (TO-252-3) et un faible courant de fuite contribuent à des conceptions économes en espace et en énergie, tandis qu’une haute fiabilité assure une performance stable dans des conditions exigeantes.