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R8011KNZ4C13

Name: ROHM Semiconductor R8011KNZ4C13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8011KNZ4C13
Price: 6.84 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-R8011KNZ4C13

N° de fab. :

R8011KNZ4C13

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET TO247 800V N CH 3.5A

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

R8011KNZ4C13 Fiche technique

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,84 €	6,84 €
	4,72 €	47,20 €
	3,65 €	365,00 €
	3,41 €	2 046,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247G-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	11 A
Rds On - Résistance drain-source:	450 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	37 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	139 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	25 ns
Transconductance directe - min.:	2.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	70 ns
Délai d'activation standard:	25 ns

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Fiche technique

R8011KNZ4C13 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Canal double à petit signal MOSFET

Les MOSFET à canal double à petit signal ROHM Semiconductor présentent une faible résistance et une commutation rapide. Ces MOSFET sont conforme à la directive RoHS et incluent un placage sans Pb. Les MOSFET à canal double fonctionnent sur une plage de température de -55 °C à 150 °C. Ces MOSFET sont utilisés dans les entraînements à moteur et les applications de commutation.