Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

R8002KND3TL1

Name: ROHM Semiconductor R8002KND3TL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8002KND3TL1
Price: 1.81 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-R8002KND3TL1

N° de fab. :

R8002KND3TL1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET

Fiche technique:

R8002KND3TL1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de ROHM Semiconductor R8002KND3TL1

En stock: 5 082

Stock:: 5 082 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,81 €	1,81 €
	1,14 €	11,40 €
	0,783 €	78,30 €
	0,697 €	348,50 €
	0,583 €	583,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,526 €	1 315,00 €
	0,504 €	2 520,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	1.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.2 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	7.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	30 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	100 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	16 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	Power MOSFET
Délai de désactivation type:	34 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Raccourcis pour l'article N°:	R8002KND3

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

R8002KND3TL1 Fiche technique

Specification Sheets

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance 800 V 1,6 A à canal N R8002KN

Les MOSFET de puissance 800 V 1,6 A à canal N R8002KN de ROHM Semiconductor sont des composants à faible résistance à l'état passant avec commutation rapide. Le R8002KN dispose d'un placage sans plomb et est conforme à la directive RoHS. Les MOSFET ont une utilisation parallèle qui est facile à utiliser.