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QH8KC5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8KC5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8KC5TCR
Price: 1.02 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-QH8KC5TCR

N° de fab. :

QH8KC5TCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET 60V 3A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET

Fiche technique:

QH8KC5TCR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	1,02 €	1,02 €
	0,642 €	6,42 €
	0,422 €	42,20 €
	0,329 €	164,50 €
	0,298 €	298,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,259 €	777,00 €
	0,252 €	1 512,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSMT-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	90 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	3.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TH
Temps de descente:	3.1 ns
Transconductance directe - min.:	1.3 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4.8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	13 ns
Délai d'activation standard:	5.3 ns
Raccourcis pour l'article N°:	QH8KC5

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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