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QH8JC5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JC5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JC5TCR
Price: 1.55 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-QH8JC5TCR

N° de fab. :

QH8JC5TCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

Fiche technique:

QH8JC5TCR Fiche technique

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-,-- €

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,55 €	1,55 €
	0,989 €	9,89 €
	0,662 €	66,20 €
	0,524 €	262,00 €
	0,479 €	479,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,447 €	1 341,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSMT-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	3.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	91 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	17.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Temps de descente:	43 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 P - Channel
Délai de désactivation type:	82 ns
Délai d'activation standard:	9.2 ns
Raccourcis pour l'article N°:	QH8JC5
Poids de l''unité:	10 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

MOSFET de puissance à canal P QH8J

Les MOSFET de puissance Pch QH8J de ROHM Semiconductor disposent d’une faible résistance à l’état passant et sont logés dans un petit boîtier moulé (TSMT8) haute puissance. Le ROHM offre une large plage de tensions allant des produits à signal faible aux produits à haute tension de 800 V. Ils peuvent être utilisés pour diverses applications telles que les alimentations électriques et les circuits d'entraînement moteur.