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PSMQC280N10LS2_R2_00201

Name: Panjit PSMQC280N10LS2_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PSMQC280N10LS2
Price: 1.05 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

241-PSMQC280N10LS2

N° de fab. :

PSMQC280N10LS2_R2_00201

Fab. :

Panjit

Description :

MOSFET 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

Fiche technique:

PSMQC280N10LS2_R2_00201 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,05 €	1,05 €
	0,657 €	6,57 €
	0,433 €	43,30 €
	0,343 €	171,50 €
	0,305 €	305,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,266 €	798,00 €
	0,258 €	1 548,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5060-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	21 A
Rds On - Résistance drain-source:	28 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.3 V
Qg - Charge de grille:	9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	29.4 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Panjit
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	1.6 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2.2 ns
Série:	PSM
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	8.2 ns
Délai d'activation standard:	3 ns
Poids de l''unité:	0,080 mg

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Fiche technique

PSMQC280N10LS2_R2_00201 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

PANJIT 80V and 100V Shield Gate Trench (SGT) N-Channel MOSFETs feature a low R_DS(ON) and a high switching speed. These devices offer low reverse transfer capacitance and utilize green molding compounds, as specified in the IEC 61249 standard. These PANJIT MV enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0, and are 100% UIS/Rg tested. These devices are available in various low-profile packages that save space, including DFN3333S-8L, DFN5060-8L, DFN5060S-8L, TO-220AB-L, TO-252AA, TO-263, and TOLL. Typical applications include PD chargers, adapters, lighting, home appliances, and DC-DC converters.

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low R_DS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.