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PSMQC098N10LS2_R2_00201

Name: Panjit PSMQC098N10LS2_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PSMQC098N10LS2
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

241-PSMQC098N10LS2

N° de fab. :

PSMQC098N10LS2_R2_00201

Fab. :

Panjit

Description :

MOSFET 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

Fiche technique:

PSMQC098N10LS2_R2_00201 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,38 €	1,38 €
	0,989 €	9,89 €
	0,686 €	68,60 €
	0,56 €	280,00 €
	0,51 €	510,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,492 €	1 476,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5060-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	9.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.3 V
Qg - Charge de grille:	25 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Panjit
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	3.6 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2.7 ns
Série:	PSM
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	15.4 ns
Délai d'activation standard:	4.4 ns
Poids de l''unité:	0,080 mg

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Fiche technique

PSMQC098N10LS2_R2_00201 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

PANJIT 80V and 100V Shield Gate Trench (SGT) N-Channel MOSFETs feature a low R_DS(ON) and a high switching speed. These devices offer low reverse transfer capacitance and utilize green molding compounds, as specified in the IEC 61249 standard. These PANJIT MV enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0, and are 100% UIS/Rg tested. These devices are available in various low-profile packages that save space, including DFN3333S-8L, DFN5060-8L, DFN5060S-8L, TO-220AB-L, TO-252AA, TO-263, and TOLL. Typical applications include PD chargers, adapters, lighting, home appliances, and DC-DC converters.

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low R_DS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.