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PSMN7R2-100YSFX

Name: Nexperia PSMN7R2-100YSFX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN7R2-100YSFX
Price: 2.02 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-PSMN7R2-100YSFX

N° de fab. :

PSMN7R2-100YSFX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT669 100V 111A N-CH MOSFET

Fiche technique:

PSMN7R2-100YSFX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,02 €	2,02 €
	1,30 €	13,00 €
	0,886 €	88,60 €
	0,707 €	353,50 €
	0,706 €	706,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,577 €	865,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO8-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	111 A
Rds On - Résistance drain-source:	6.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	50 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	194 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	GB
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	18 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	34 ns
Délai d'activation standard:	14 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934662278115

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Fiche technique

PSMN7R2-100YSFX Fiche technique (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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Les MOSFET NextPower 80/100 V Nexperia sont recommandés pour les applications de commutation à haut rendement et haute fiabilité. Les MOSFET de puissance NextPower disposent d’une R_{DS (on)} plus faible 50 % et d’une solide énergie d’avalanche nominale. Ces composants sont idéaux pour l’alimentation, les télécommunications, les conceptions industrielles, les chargeurs et adaptateurs USB-PD de Type C et les adaptateurs 48 V CC-CC. Ces composants ont de faibles pertes de diode de corps avec un Q_rr pouvant descendre à 50 nano-coulombs (nC). Cela se traduit par un courant de récupération inverse plus faible (I_RR), des pics de tension plus faibles (crête en V) et une sonnerie réduite pour un temps mort encore optimisé.