Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

PSMN4R5-80YSFX

Name: Nexperia PSMN4R5-80YSFX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN4R5-80YSFX
Price: 2.86 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

771-PSMN4R5-80YSFX

N° de fab. :

PSMN4R5-80YSFX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT669 N-CH 80V 100A

Fiche technique:

PSMN4R5-80YSFX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Nexperia PSMN4R5-80YSFX

En stock: 89

Stock:: 89 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 53 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,86 €	2,86 €
	1,87 €	18,70 €
	1,30 €	130,00 €
	1,12 €	560,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,734 €	1 101,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK56-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	60 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	238 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	16 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	13 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	34 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934661575115

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

PSMN4R5-80YSFX Fiche technique (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET NextPower 80/100 V

Les MOSFET NextPower 80/100 V Nexperia sont recommandés pour les applications de commutation à haut rendement et haute fiabilité. Les MOSFET de puissance NextPower disposent d’une R_{DS (on)} plus faible 50 % et d’une solide énergie d’avalanche nominale. Ces composants sont idéaux pour l’alimentation, les télécommunications, les conceptions industrielles, les chargeurs et adaptateurs USB-PD de Type C et les adaptateurs 48 V CC-CC. Ces composants ont de faibles pertes de diode de corps avec un Q_rr pouvant descendre à 50 nano-coulombs (nC). Cela se traduit par un courant de récupération inverse plus faible (I_RR), des pics de tension plus faibles (crête en V) et une sonnerie réduite pour un temps mort encore optimisé.