PJQ5526-AU_R2_002A1

Panjit
241-PJQ5526AUR2002A1
PJQ5526-AU_R2_002A1

Fab. :

Description :
MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

Cycle de vie:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Panjit
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5060-8
N-Channel
1 Channel
30 V
73 A
5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 175 C
43 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
Marque: Panjit
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Temps de descente: 23 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 8 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 24 ns
Délai d'activation standard: 13 ns
Raccourcis pour l'article N°: PJQ5526
Poids de l''unité: 80 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.