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PJQ5435E_R2_00201

Name: Panjit PJQ5435E_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ5435ER200201
Price: 0.29 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

241-PJQ5435ER200201

N° de fab. :

PJQ5435E_R2_00201

Fab. :

Panjit

Description :

MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

PJQ5435E_R2_00201 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5060X-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	43 A
Rds On - Résistance drain-source:	12.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	34 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	36 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Panjit
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	66 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	51 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Raccourcis pour l'article N°:	PJQ5435E
Poids de l''unité:	80 mg

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Fiche technique

PJQ5435E_R2_00201 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290000
ECCN:: EAR99

PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature range. These MOSFETs are 100% UIS tested and are available in the DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. The PJQx43 P-Channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and are green molding compounds as per IEC 61249 standard.