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PJD40P03E-AU_L2_006A1

Name: Panjit PJD40P03E-AU_L2_006A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJD40P03EAUL26A1
Price: 0.72 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

241-PJD40P03EAUL26A1

N° de fab. :

PJD40P03E-AU_L2_006A1

Fab. :

Panjit

Description :

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Fiche technique:

PJD40P03E-AU_L2_006A1 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252AA-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	33 A
Rds On - Résistance drain-source:	30.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	22 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	33 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Panjit
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	40 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Série:	PJD
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P Channel
Délai de désactivation type:	36 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Poids de l''unité:	297 mg

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Fiche technique

PJD40P03E-AU_L2_006A1 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are rugged and reliable MOSFETs with -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 3W power dissipation @T_C=25°C. These MOSFETs feature a 50°C/W junction to ambient thermal resistance, -55°C to 175°C operating temperature range, and -2.5V maximum gate-threshold voltage. The PJDx0P03E-AU MOSFETs are AEC-Q101 qualified, 100% UIS tested, and lead-free in compliance with EU RoHS 2.0.

30V & 40V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 30V and 40V Automotive P-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified MOSFETs with an ON resistance of 1Ω and a high junction temperature of 175°C. These P-channel MOSFETs are an ideal choice for automotive design engineers looking to simplify circuitry and enhance performance. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are lead-free and EU RoHS 2.0 compliant. These P-channel MOSFETs are available in various packages, including DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, TO-263AB, and TO-263-7L. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are 100% Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. Typical applications include reverse polarity protection, battery-powered equipment, brushed DC motors, electronic steering, oil/water pumps, and primary 12V systems.