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PJA3414_R1_00001

Name: Panjit PJA3414_R1_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PJA3414_R1_00001
Price: 0.4 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

241-PJA3414_R1_00001

N° de fab. :

PJA3414_R1_00001

Fab. :

Panjit

Description :

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Fiche technique:

PJA3414_R1_00001 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,404 €	0,40 €
	0,30 €	3,00 €
	0,17 €	17,00 €
	0,115 €	57,50 €
	0,088 €	88,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,072 €	216,00 €
	0,065 €	390,00 €
	0,053 €	477,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	5.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	36 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.2 V
Qg - Charge de grille:	4.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.25 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Panjit
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	7 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	PJA
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	30 ns
Délai d'activation standard:	14 ns
Poids de l''unité:	8 mg

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Fiche technique

PJA3414_R1_00001 Fiche technique (PDF)

Application Notes

Understanding Medium Voltage and Super Junction MOSFET Datasheet Parameters (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

30V & 40V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 30V and 40V Automotive P-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified MOSFETs with an ON resistance of 1Ω and a high junction temperature of 175°C. These P-channel MOSFETs are an ideal choice for automotive design engineers looking to simplify circuitry and enhance performance. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are lead-free and EU RoHS 2.0 compliant. These P-channel MOSFETs are available in various packages, including DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, TO-263AB, and TO-263-7L. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are 100% Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. Typical applications include reverse polarity protection, battery-powered equipment, brushed DC motors, electronic steering, oil/water pumps, and primary 12V systems.