Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NVXK2VR80WDT2

Name: onsemi NVXK2VR80WDT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2VR80WDT2
Price: 46.82 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NVXK2VR80WDT2

N° de fab. :

NVXK2VR80WDT2

Fab. :

onsemi

Description :

Modules MOSFET APM32 SIC POWER MODULE

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

NVXK2VR80WDT2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NVXK2VR80WDT2

En stock: 60

Stock:: 60

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 60
Délai usine :: 16

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	46,82 €	46,82 €
	38,92 €	389,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	APM-32
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	6 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	116 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	82 W
Série:	NVXK2VR80WDT2
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	3-Phase Bridge
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	9 ns
Hauteur:	5.8 mm
Longueur:	44.2 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	12 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	Power Module
Délai de désactivation type:	21 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Largeur:	29 mm

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NVXK2VR80WDT2 Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Modules au carbure de silicium (SiC) NVXK2VR80WxT2

Les Modules au carbure de silicium (SiC) NVXK2VR80WxT2 onBLUETOOTH sont des modules d'alimentation à pont triphasé 1 200 V, 80 m Ω logés dans un boîtier DIP (double ligne). Ces modules au SiC sont conçus de manière compacte pour avoir une faible résistance totale de module. Les modules d'alimentation NVXK2VR80WxT2 ont une homologation automobile conformément aux normes AEC-Q101 et AQG324. Ces modules de puissance sont sans plomb et conformes à la directive RoHS, UL94V-0. La détection de température des modules SiC NVXK2VR80WxT2 et la résistance thermique la plus faible les rendent idéaux pour les chargeurs embarqués PFC dans les applications xEV.