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NVTFS4C02NTAG

Name: onsemi NVTFS4C02NTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTFS4C02NTAG
Price: 2.04 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVTFS4C02NTAG

N° de fab. :

NVTFS4C02NTAG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 30V NCH U8FL

Fiche technique:

NVTFS4C02NTAG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,04 €	2,04 €
	1,46 €	14,60 €
	1,15 €	115,00 €
	0,955 €	477,50 €
	0,894 €	894,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,894 €	1 341,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WDFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	162 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.25 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	20 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3.2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NVTFS4C02N
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NVTFS4C02NTAG Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à canal unique N

Les MOSFET de puissance à canal unique N d'onsemi sont des MOSFET compacts et de faible encombrement avec un faible R_DS(on) et une faible capacité. La faible valeur R_DS(on) aide à minimiser les pertes de conduction, et la faible capacité minimise les pertes du pilote. Ces MOSFET de puissance à canal unique N sont sans Pb et conformes à la directive RoHS. Leur plage de température de fonctionnement s'étend de -55 °C à +175 °C.

MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.