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NVMYS6D2N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS6D2N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS6D2N06CLTWG
Price: 1.53 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMYS6D2N06CLTWG

N° de fab. :

NVMYS6D2N06CLTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 60V LL LFPAK

Fiche technique:

NVMYS6D2N06CLTWG Fiche technique

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-,-- €

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,53 €	1,53 €
	0,98 €	9,80 €
	0,655 €	65,50 €
	0,518 €	259,00 €
	0,474 €	474,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,416 €	1 248,00 €
	0,402 €	2 412,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	71 A
Rds On - Résistance drain-source:	6.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	20 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	61 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	PH
Pays de diffusion:	JP
Pays d'origine:	PH
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NVMYS6D2N06CL
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

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PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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