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NVMTS4D3N15MC

Name: onsemi NVMTS4D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMTS4D3N15MC
Price: 6.48 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

863-NVMTS4D3N15MC

N° de fab. :

NVMTS4D3N15MC

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE

Fiche technique:

NVMTS4D3N15MC Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	6,48 €	6,48 €
	4,43 €	44,30 €
	3,38 €	338,00 €
	3,37 €	1 685,00 €
	3,16 €	3 160,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	3,16 €	9 480,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	165 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.45 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	79 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	292 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NVMTS4D3N15MC
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NVMTS4D3N15MC Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à canal unique N

Les MOSFET de puissance à canal unique N d'onsemi sont des MOSFET compacts et de faible encombrement avec un faible R_DS(on) et une faible capacité. La faible valeur R_DS(on) aide à minimiser les pertes de conduction, et la faible capacité minimise les pertes du pilote. Ces MOSFET de puissance à canal unique N sont sans Pb et conformes à la directive RoHS. Leur plage de température de fonctionnement s'étend de -55 °C à +175 °C.