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NTMYS006N08LHTWG

Name: onsemi NTMYS006N08LHTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMYS006N08LHTWG
Price: 2.78 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTMYS006N08LHTWG

N° de fab. :

NTMYS006N08LHTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T8 80V LL LFPAK

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NTMYS006N08LHTWG Fiche technique

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	77 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	34 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	89 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	SIngle
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	99 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	125 ns
Série:	NTMYS006N08HL
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	40 ns

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Fiche technique

NTMYS006N08LHTWG Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance monocanal N

Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont conçus pour des conceptions compactes et efficaces avec un encombrement réduit. Ces MOSFET de puissance disposent d’une basse R_DS(ON), d’une Q_G et d’une capacité faibles, qui réduisent au minimum les pertes en conduction et du pilote. Ces MOSFET sont disponibles en tensions drain-source de 40, 60 et 80 V et en tension grille-source ±20 V. Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont sans plomb et conformes à la directive RoHS.