NTMTS6D0N15MC

onsemi
863-NTMTS6D0N15MC
NTMTS6D0N15MC

Fab. :

Description :
MOSFET PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 2 960

Stock:
2 960 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
48 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Les quantités supérieures à 2960 seront soumises à des commandes minimales.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
5,64 € 5,64 €
3,59 € 35,90 €
2,95 € 295,00 €
2,76 € 2 760,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
2,76 € 8 280,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
135 A
6.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
58 nC
- 55 C
+ 175 C
245 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: onsemi
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Type de produit: MOSFETs
Série: NTMTS6D0N15MC
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance à canal unique N

Les MOSFET de puissance à canal unique N d'onsemi sont des MOSFET compacts et de faible encombrement avec un faible RDS(on) et une faible capacité. La faible valeur RDS(on) aide à minimiser les pertes de conduction, et la faible capacité minimise les pertes du pilote. Ces MOSFET de puissance à canal unique N sont sans Pb et conformes à la directive RoHS. Leur plage de température de fonctionnement s'étend de -55 °C à +175 °C.