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NTMFS4D2N10MDT1G

Name: onsemi NTMFS4D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4D2N10MDT1G
Price: 2.77 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

863-NTMFS4D2N10MDT1G

N° de fab. :

NTMFS4D2N10MDT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

Fiche technique:

NTMFS4D2N10MDT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,77 €	2,77 €
	1,81 €	18,10 €
	1,42 €	142,00 €
	1,13 €	565,00 €
	0,998 €	998,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,998 €	1 497,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8FL-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	113 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	25 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	132 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NTMFS4D2N10MD
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NTMFS4D2N10MDT1G Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Technologie PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

MOSFET PowerTrench® à grille blindée

Les MOSFET PowerTrench® à grille blindée d'Onsemi sont des MOSFET à canal N qui minimisent la résistance à l'état passant et maintiennent des performances de commutation supérieures avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché. Ces MOSFET ont un facteur Q_rr inférieur à celui d'autres MOSFET. Les MOSFET PowerTrench® à grille blindée d'Onsemi réduisent le bruit de commutation/lebrouillage électromagnétique (EMI). Ces MOSFET se caractérisent par une faible R_DS(on) pour limiter les pertes en conduction et pour de faibles Q_G etcapacité, permettant de limiter les pertes de pilotes. Les MOSFET PowerTrench à grille blindée se présentent sous la forme d'un petit boîtier PQFN8 de 5 mm x 6 mm pour des conceptions compactes. Les applications typiques comprennent le redressement synchrone (SR), les alimentations électriques CA-CC et CC-CC, les adaptateurs AC-DC (USB Power Delivery) SR, et les commutateurs de charge.